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[成功] Electrical Bistabilities of Write-Once-Read-Many-Times Memory Devices Fabrica...

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发表于 2013-5-9 09:42:44 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Electrical Bistabilities of Write-Once-Read-Many-Times Memory Devices Fabricated Utilizing Indium Tin Oxide Nanoparticles Embedded in a Poly 4-Vinyl Phenol Layer
作者	Xu, Jia; Zhang, Yong; Li, Xiaochan; Zhang, Tao; He, Miao; Qian, Weining; Li, Yun; Wen, Xiaoxia; Chen, Fangsheng; Ding, Lizhen; Wang, Bo
杂志	Nanoscience and Nanotechnology Letters
年\|卷\|期	2013，5（2）
页码	147-150（4）
链接	http://ingentaconnect.com/content/asp/nnl/2013/00000005/00000002/art00011

本帖最后由 lo7ve77 于 2014-2-2 11:02 编辑

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coolsas 查看完整内容

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沙发

发表于 2013-5-9 09:42:45 |只看该作者

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发表于 2013-5-9 09:44:13 |只看该作者

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地板

发表于 2013-5-9 09:48:21 |只看该作者

dajia123 发表于 2013-5-9 09:44
111111111111

感谢dajia123对我的帮助~

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5^#

发表于 2013-5-9 10:01:13 |只看该作者

qq？你叫啥？我叫是我不小心

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发表于 2013-5-9 10:01:37 |只看该作者

lingzhi901 发表于 2013-5-9 09:48
感谢dajia123对我的帮助~

在群里叫小心-凝聚态

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发表于 2014-2-21 12:18:31 |只看该作者

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