新型深紫外光子学材料研制成功

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近日，厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组成功研制出新型宽带隙半导体材料，为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。相关研究成果日前发表于《自然》出版集团旗下的《科学报告》。

所谓深紫外光，指波长短于280纳米的紫外线。这种光源波长短、频率高，可在水及空气净化、疾病治疗、信息技术等领域发挥独特作用。传统的深紫外光源通常由高压汞灯产生，这种设备体积大、电压高、毒性大，而用氮化铝基宽带隙半导体来产生深紫外光，可使设备体积不足米粒大、电压仅需数伏特、无毒无害，且寿命长数百倍。

从2005年开始，康俊勇教授课题组便开始研发这种高纯度的宽带隙半导体深紫外光源材料和器件。此次研发出的材料由于纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。

业内专家认为，厦大自主研发的这种半导体材料可为未来研制深紫外波段高信道容量的量子通信和激光器件等奠定材料基础。