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| 题名 | Roles of oxygen and nitrogen in control of nonlinear resistive behaviors via filamentary and homogeneous switching in an oxynitride thin film memristor | | 链接 | http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/ra/c6ra12408a#!divAbstract |
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发表于 2016-9-9 07:40:31
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发表于 2016-9-9 07:40:32
