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[成功] Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin F...

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发表于 2014-11-2 17:12:46 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure
作者	Pham Van Thanhad, Bui Nguyen Quoc Trinhbe, Takaaki Miyasakob, Phan Trong Tuebc, Eisuke Tokumitsubc & Tatsuya Shimodaabc
杂志	Ferroelectrics Letters Section
年\|卷\|期	Volume 40, Issue 1-3, 2013
页码	pages 17-29
链接	http://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/07315171.2013.813823#.VFX1fNL3ShN

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沙发

发表于 2014-11-2 17:12:47 |只看该作者

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