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[成功] Highly Uniform Switching of Tantalum Embedded Amorphous Oxide Using Self-Comp...

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发表于 2014-7-23 17:15:44 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Highly Uniform Switching of Tantalum Embedded Amorphous Oxide Using Self-Compliance Bipolar Resistive Switching
作者	Chang Bum Lee ; Semicond. Lab., Samsung Adv. Inst. of Technol., Yongin, South Korea ; Dong Soo Lee ; Benayad, A. ; Seung Ryul Lee
杂志	Electron Device Letters, IEEE ...> Volume:32 Issue:3
年\|卷\|期	Electron Device Letters, IEEE ...> Volume:32 Issue:3
页码	Electron Device Letters, IEEE ...> Volume:32 Issue:3
链接	http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=5706345&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D5706345

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沙发

发表于 2014-7-23 17:15:45 |只看该作者

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