- 收听数
- 0
- 性别
- 保密
- 听众数
- 6
- 最后登录
- 2018-6-25
- QQ
 - UID
- 2294
- 阅读权限
- 30
- 帖子
- 477
- 精华
- 0
- 在线时间
- 204 小时
- 注册时间
- 2012-12-26
 
- 科研币
- 22
- 速递币
- 133
- 娱乐币
- 194
- 文献值
- 0
- 资源值
- 0
- 贡献值
- 1
|
10速递币
| 题名 | Flexible Resistive Switching Memory Device Based on Amorphous InGaZnO Film With Excellent Mechanical Endurance | | 作者 | Wang, Z.Q. ; Key Lab. for UV-Emitting Mater. & Tech nology of Minist. of Educ., Northeast Normal Univ., Changchun, China ; Xu, H.Y. ; Li, X.H. ; Zhang, X.T. | | 杂志 | Electron Device Letters, IEEE ...> Volume:32 Issue:10 | | 年|卷|期 | Electron Device Letters, IEEE ...> Volume:32 Issue:10 | | 页码 | Electron Device Letters, IEEE ...> Volume:32 Issue:10 | | 链接 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=5995141&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D5995141 |
|
最佳答案
fsae88 查看完整内容
文件名：05995141.pdf
文件大小：396 KB
下载地址：http://1000eb.com/xpp1
|
发表于 2014-7-23 17:14:34
淘帖
收藏
顶
踩
发表于 2014-7-23 17:14:35
