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发表于 2014-9-12 17:38:54 |只看该作者 |倒序浏览
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题名Quantitative calibration and germanium SIMS depth profiling in Ge x Si1 − x /Si heterostructures
作者 M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov
杂志Semiconductors
年|卷|期2014, Volume 48, Issue 8
页码pp 1109-1117
链接http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782614080090

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发表于 2014-9-12 17:38:55 |只看该作者
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发表于 2014-9-12 17:39:33 |只看该作者
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