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| 题名 | Improving the operational characteristic stability in Al/Au/ZnO/Al resistive random access memory devices | | 链接 | http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.55.044101/meta;jsessionid=404DDB0FF822A338C132814803BEDAC4.c1 |
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发表于 2016-5-18 16:36:46
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发表于 2016-5-18 16:36:47
