新手赚币宝典全民福利文献互助 ss/vpn 文献代理 sci-hub 兑换纪念品 google

开启辅助访问购买速递币登录快速注册找回密码切换风格

科研速递论坛»论坛 › 文献速递区 › Articles Request|文献互助 › Completed Archives for Articles|文献成功归档 › Resistive-switching crossbar memory based on Si3N4/S ...

查看: 50|回复: 1

上一主题

下一主题

[成功] Resistive-switching crossbar memory based on Si3N4/SiO2 bi-layer structure an...

833 主题	12 好友	1 积分

Rank: 2

科研币: 5
速递币: 5217
娱乐币: 947
文献值: 0
资源值: 0
贡献值: 0

发消息

电梯直达

跳转到指定楼层

楼主

发表于 2017-2-21 08:51:37 |只看该作者 |倒序浏览

5速递币

题名	Resistive-switching crossbar memory based on Si3N4/SiO2 bi-layer structure and copper chemical displacement technique
链接	http://ieeexplore.ieee.org/document/7528658/?part=1

最佳答案

wjw2016 查看完整内容

http://pan.baidu.com/s/1dE4oxtJ 会议摘要

淘帖0 收藏0 顶0 踩0

回复

17 主题	1 好友	27 积分

Rank: 4

科研币: 55
速递币: 3646
娱乐币: 7080
文献值: 1948
资源值: 0
贡献值: 0

发消息

沙发

发表于 2017-2-21 08:51:38 |只看该作者

http://pan.baidu.com/s/1dE4oxtJ
会议摘要

已有 1 人评分	文献值	收起理由
fsae88	+ 1

总评分: 文献值 + 1 查看全部评分

回复

举报该帖为应助帖

|Translate Forum into English|QQ群:821993|Archiver|手机版|申请友链| 科研速递论坛

GMT+8, 2024-4-24 06:01 , Processed in 0.069558 second(s), 32 queries .

© 2012-2099 www.expaper.cn

!fastreply! 回顶部 !return_list!