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标题: Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction—Thermal a... [打印本页]

作者: yshit 时间: 2013-9-3 16:51
标题: Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction—Thermal a...

题名	Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction—Thermal admittance spectroscopy studies
链接	http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=6517396&abstractAccess=no&userType=inst

作者: zhanglr 时间: 2013-9-3 16:51
http://pan.baidu.com/share/link? ... 35&uk=842360968

作者: zhanglr 时间: 2013-9-3 16:52
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作者: yanghai811228 时间: 2013-9-3 16:53
本帖最后由 yanghai811228 于 2013-9-3 17:00 编辑

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